Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 MOSFET
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作者:communications-100
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发布时间: 2014-10-15
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Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 MOSFET 
Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 MOSFET可通过降低能耗来充分利用碳化硅的性能，从而在功率转换过程中实现更高效率。 英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET适用于各种功率半导体应用，如光伏、能量存储、电动汽车直流充电、电机驱动器和工业电源。配备CoolSiC G2的电动汽车用直流快速充电站与前几代产品相比，功耗降低了10%,同时实现更高的充电容量，且不影响外形尺寸。
特性
灵活的驱动电压，兼容双极驱动方案
基准栅极阈值电压，VGS(th) =4.5V
即使在0V关断栅极电压下，也能防止寄生导通
超低开关损耗
在硬换向事件下可靠运行体二极管
.XT互连技术，实现同类最佳的散热性能
