Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V   

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英飞凌的各种栅极驱动器IC产品补充了SiC分立式产品，为超快SiC MOSFET开关提供了完美的解决方案。通过将CoolSiC MOSFET和EiceDRIVER™栅极驱动器IC结合使用，SiC技术可以提高效率、节省空间和重量、减少元件数量并提高系统可靠性。

一系列栅极驱动器IC，用于CoolSiC MOSFET 650V，采用定制的UVLO电平保护SiC MOSFET

• 1EDB9275F

• 1EDB6275F

• 1EDN9550B

• 1EDN6550B

• 2EDF9275F

• 2EDS9265H

英飞凌CoolSiC™ MOSFET 650V采用TO-247 3引脚、TO-247 4引脚和D2PAK 7引脚封装类型。

得益于.XT互连技术，可用于CoolSiC™MOSFET分立式封装，从而增强系统功率密度。英飞凌的扩散焊接工艺在芯片和散热器之间建立了强大的热连接，从而使散热量增加了30%，工作温度降低高达15K，从而延长了使用寿命。