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3
IRFB4115PBF
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
市场价：
0.00
价格：
0.00
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
产品属性
属性值
选择属性
制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
150 V
Id-连续漏极电流:
104 A
Rds On-漏源导通电阻:
9.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
5 V
Qg-栅极电荷:
77 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
380 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
商标:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降时间:
39 ns
正向跨导 - 最小值:
97 S
高度:
15.65 mm
长度:
10 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
73 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
41 ns
典型接通延迟时间:
18 ns
宽度:
4.4 mm
单位重量:
2 g
上一个：
IRFB4110PB......
下一个：
IRFB4227PB......
