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3
IRFB4227PBF
MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
市场价：
3900.00
价格：
3500.00
MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
产品属性
属性值
选择属性
制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
200 V
Id-连续漏极电流:
65 A
Rds On-漏源导通电阻:
24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.8 V
Qg-栅极电荷:
70 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
330 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
商标:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降时间:
31 ns
正向跨导 - 最小值:
49 S
高度:
15.65 mm
长度:
10 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
20 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
21 ns
典型接通延迟时间:
33 ns
宽度:
4.4 mm
单位重量:
2 g
上一个：
IRFB4115PB......
下一个：
IRFB7540PB......
