CoolSiC 750V G1技术具有极高的稳健性，特别是在宇宙辐射下，因此非常适合用于超过500V的总线电压。由于具有出色的杂散导通抗扰性，这些器件可以在零伏VGS 离级电压（单极栅极驱动器）下安全驱动，从而降低系统复杂性、PCB面积占用和BOM数量。宽栅极-源极额定电压（-5V至23V，VGS 静态）可确保与双极驱动兼容，提高设计灵活性。
CoolSiC™汽车用MOSFET 750V G1系列具有非常精细的产品组合，RDS(on)（+25°C典型值时）范围为8mΩ至140mΩ，采用7引脚D2PAK和QDPAK顶部冷却 (TSC) 封装。JEDEC发布的QDPAK TSC封装有助于最大限度地利用PCB空间，将功率密度增加一倍，并通过基板热解耦增强热管理。顶部冷却封装显著降低了冷却基础设施的设计工作，是实现最高功率密度的关键。
高度可靠的750V技术
同类最佳的RDS(on) x Qfr，可在硬开关半桥中实现出色的效率
RDS(on) × Qoss 和RDS(on) × Qg 的出色数字支持更高的开关频率
低Crss/Ciss，高Vgsth
100% 经雪崩测试
Infineon裸片连接技术
先进的顶部冷却封装
更高可靠性
可耐受超过500V的总线电压
可靠耐受寄生导通
单极驱动
同类最佳的散热性能
符合 RoHS 要求
车载充电器
汽车用HV-LV直流-直流转换器
汽车用静态开关（eFuse、BMS）
