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3
IRFR5505TRPBF
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
市场价：
3200.00
价格：
3000.00
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
产品属性
属性值
选择属性
制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
REACH
-
SVHC
:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
55 V
Id-连续漏极电流:
18 A
Rds On-漏源导通电阻:
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4 V
Qg-栅极电荷:
32 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
57 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降时间:
16 ns
正向跨导 - 最小值:
4.2 S
高度:
2.3 mm
长度:
6.5 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
28 ns
工厂包装数量:
2000
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 P-Channel
类型:
HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:
20 ns
典型接通延迟时间:
12 ns
宽度:
6.22 mm
单位重量:
330 mg
上一个：
PIC16C711-......
下一个：
IRF840PBF
